Hochspannungs-SiC-Technologie

Leistungsmodul Full SiC 3 300 V/Hybrid-SiC von Mitsubishi Electric für Traktionswechselrichter (Foto: Mitsubishi).In einem Memorandum of Understanding (MoU) gaben Siemens Mobility und Mitsubishi Electric Europe bekannt, auf dem Gebiet der Technologie von SiC-Leistungshalbleiter-Modulen zusammenzuarbeiten. Standard-Leistungshalbleiter auf Silicium-Basis werden kontinuierlich weiterentwickelt und neue Technologien, wie der Einsatz von SiC (Siliciumcarbid), vorangetrieben.

Die Vorgaben für Energieeinsparungen sowie Volumen- und Gewichtsreduzierungen für Traktionsumrichter in der Bahntechnik erfüllen die Leistungshalbleiter-Module Full SiC 3 300 V von Mitsubishi. Der für schnelles Schalten geeignete SiC-Chipsatz wird im standardisierten LV100-Gehäuse eingesetzt. Das LV100-Gehäuse bietet eine geringe Streuinduktivität und einfache Parallelschaltbarkeit. Die Leistungsverluste von LV100-Full-SiC-Modulen können im Vergleich zu herkömmlichen Si-Leistungshalbleiter-Modulen im Wechselrichterbetrieb um 75 % reduziert werden. Die Energieaufnahme aus dem Netz sei mit einem energetisch optimierten Antriebsystem durch den Einsatz von SiC-Bauelementen um 10 % niedriger, als bei aktuellen Fahrzeugen.